[发明专利]CaCuSi4O10二维晶体的用途及其构成的饱和吸收体器件有效

专利信息
申请号: 201510535460.9 申请日: 2015-08-27
公开(公告)号: CN105071215B 公开(公告)日: 2018-08-07
发明(设计)人: 郭强兵;刘小峰;邱建荣 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01S3/11 分类号: H01S3/11;H01S3/098
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 林超
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种CaCuSi4O10二维晶体的用途及其构成的饱和吸收体器件。包括封装在透明容器内作为饱和吸收体的二维晶体和承载该饱和吸收体的基体,饱和吸收体是CaCuSi4O10二维层状晶体。本发明发现了新的具有优异饱和吸收特性的材料体系,为开发新型饱和吸收体提供了更大的空间,其器件具有廉价、适合大规模制备、体积小、可组成多种类型的锁模器件的优点,可应用于脉冲光纤激光器等领域。
搜索关键词: cacusi sub 10 二维 晶体 用途 及其 构成 饱和 吸收体 器件
【主权项】:
1.一种CaCuSi4O10二维晶体的用途,其特征是:所述CaCuSi4O10二维晶体用于制备饱和吸收体。
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