[发明专利]等离子蚀刻和隐形切片激光工艺有效
| 申请号： | 201510535505.2 | 申请日： | 2015-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN105405806B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 古伊多·阿尔贝曼;萨沙·默勒;托马斯·罗勒德;马丁·拉普克;哈特莫特·布宁 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/268;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周泉 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 与示例实施例一致，一种用于从具有正面和背面的晶圆衬底制备集成电路(IC)器件管芯的方法，其中，所述正面具有有源器件所述方法包括：将晶圆的正面安装在保护膜上。以第一聚焦深度将激光施加到晶圆的背面的锯道区域以限定改性区；所述改性区被限定在有源器件边界内预定深度处，并且所述有源器件具有由锯道限定的边界。拉伸保护膜以将IC器件管芯彼此分离并暴露出有源器件侧壁。对有源器件侧壁进行干法蚀刻，使得改性区被基本移除。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 蚀刻 隐形 切片 激光 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件，包括：有源器件，位于正表面上，所述有源器件被锯道划界；下表面，与正表面相对；多个竖直侧壁，位于锯道附近，其中，所述多个竖直侧壁在其中限定了多晶硅的改性区，其中所述改性区是位于晶圆的结晶层之间的具有改变结晶结构的层，并被限定在有源器件边界内预定深度处，其中，改性区被暴露于等离子蚀刻剂中，使得所有的多晶硅都被移除，其中移除所有的多晶硅包括将所述改变结晶结构移除至在下表面之下且在晶圆的切割区域中的结晶层之间的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
