[发明专利]一种大面积、高密度微波等离子体产生装置在审
申请号: | 201510535652.X | 申请日: | 2015-08-26 |
公开(公告)号: | CN105088196A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 陈龙威;赵颖;孟月东 | 申请(专利权)人: | 中国科学院等离子体物理研究所 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种大面积高密度微波等离子体产生装置,由多组线形微波等离子体放电单元排列形成,每放电单元包括有放电腔、扩散腔,放电腔的顶端和两侧分别设有永磁铁组,形成类磁镜场位形磁场分布或者发散位形场磁场分布,以增强和稳定位形等离子体放电;放电腔的等离子体发生区设有与气源连接的上、下进气管以及与同轴微波源相连接的同轴圆波导;扩散腔通过多组放电腔产生的等离子体径向和纵向扩散,形成较均匀的等离子体密度分布。本发明通过远程通入反应气体实现薄膜的快速、连续沉积,可实现半导体薄膜、掺杂半导体薄膜、导体薄膜的沉积,或者用于等离子体清洗,或者用于等离子体干法刻蚀,或者用于材料表面的等离子体改性。 | ||
搜索关键词: | 一种 大面积 高密度 微波 等离子体 产生 装置 | ||
【主权项】:
一种大面积、高密度微波等离子体产生装置,其特征在于:包括有大长方体状腔体,以及彼此独立且并排连通设置在大长方体状腔体顶部的多个小长方体状腔体,以每个小长方体状腔体内作为等离子体产生区,多个等离子体产生区共用大长方体状腔体作为等离子体扩散区,每个小长方体状腔体顶部分别设置有永磁铁,最左侧的小长方体状腔体左侧,最右侧的小长方体状腔体右侧、相邻小长方体状腔体之间亦分别设置有永磁铁,以每个小长方体状腔体顶部永磁铁作为该小长方体状腔体中等离子体产生区的第一组永磁铁,每个小长方体状腔体左侧永磁铁作为该小长方体状腔体中等离子体产生区的第二组永磁铁,每个小长方体状腔体右侧永磁铁作为该小长方体状腔体中等离子体产生区的第三组永磁铁,即前一小长方体状腔体中等离子体产生区的第三组永磁铁作为后一相邻小长方体状腔体中等离子体产生区的的第二组永磁铁,构成对应每个等离子体产生区的呈品字形分布的永磁铁阵列,每个等离子体产生区对应的永磁铁阵列中,第一组永磁铁的磁化方向分别与第二、第三组永磁铁的磁化方向相反,由三组永磁铁在对应的等离子体产生区内形成类磁镜场的磁场分布;每个等离子体产生区内分别设置有与等离子体产生区内连通的上、下进气管,上、下进气管分别向所在的等离子体产生区内通入工作气体,每个等离子体产生区内位于上、下进气管之间分别设置有贯通等离子体产生区的与同轴微波源连接的同轴圆波导,所述大长方体状腔体内底部设置有高度可调的基片台,大长方体状腔体底部还安装有与大长方体状腔体内连通的真空机组。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院等离子体物理研究所,未经中国科学院等离子体物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510535652.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的