[发明专利]一种掩模板、隔垫物及显示装置有效
申请号: | 201510535951.3 | 申请日: | 2015-08-27 |
公开(公告)号: | CN105045032B | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 舒适;黎午升;崔承镇;张锋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G02F1/13;G02F1/1339 |
代理公司: | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种掩模板、隔垫物及显示装置。所述掩模板包括遮光区以及对应基板上形成隔垫物位置的透光区,所述透光区的中心设置有遮挡板,所述遮挡板的边缘与所述透光区的边缘之间形成透光环。采用该掩模板制作隔垫物,可以减小隔垫物的底部尺寸,从而提高显示装置的解析度。 | ||
搜索关键词: | 一种 模板 隔垫物 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种掩模板的使用方法,其特征在于,掩模板包括遮光区以及对应基板上形成隔垫物位置的透光区,所述透光区的中心设置有遮挡板,所述遮挡板的边缘与所述透光区的边缘之间形成透光环;/n所述遮挡板包括圆形遮挡板或多边形遮挡板,所述透光区的形状与所述遮挡板的形状相匹配;/n当所述遮挡板为圆形遮挡板时,所述透光环的外径为6μm~12μm,所述透光环的宽度为1μm~5μm;/n所述掩模板的使用方法包括:/n将所述掩模板的透光区与对应基板上黑矩阵投影覆盖范围内形成隔垫物位置相对,以减小黑矩阵覆盖的隔垫物的底部尺寸。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510535951.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备