[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510536237.6 | 申请日： | 2015-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN105990402B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 尾原亮一;野田隆夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一实施方式，半导体装置具备：半导体基板，具有第1面和第2面；元件区域，设于半导体基板；末端区域，设于元件区域的周围的半导体基板，具有设于半导体基板的第1面的第1导电型的第1半导体区域、设在第1半导体区域与第2面之间的第2导电型的第2半导体区域、设在第1半导体区域上的第1绝缘膜、和设在第1半导体区域上且处于第1绝缘膜之间的第2绝缘膜；第1电极，设在元件区域的第1面上，与第1半导体区域电连接；以及第2电极，设在半导体基板的第2面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：/n半导体基板，具有第1面和第2面；/n元件区域，设置于上述半导体基板；/n末端区域，设置于上述元件区域的周围的上述半导体基板，具有设置于上述半导体基板的第1面的第1导电型的第1半导体区域、设置于上述第1半导体区域与上述第2面之间的第2导电型的第2半导体区域、设置在上述第1半导体区域上的第1绝缘膜、和设置在上述第1半导体区域上且处于上述第1绝缘膜之间的第2绝缘膜；/n第1电极，设置在上述元件区域的第1面上，与上述第1半导体区域电连接；以及/n第2电极，设置在上述半导体基板的上述第2面上，/n上述第1绝缘膜是硅氧化膜，上述第2绝缘膜是有机膜，/n上述第1绝缘膜与上述第2绝缘膜直接接触，/n上述第2绝缘膜与上述第1半导体区域直接接触，/n与上述第1半导体区域接触的部分的上述第2绝缘膜是将上述元件区域包围的环状。/n
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