[发明专利]BaCuSi4O10二维晶体的用途及其构成的饱和吸收体器件有效
| 申请号： | 201510536375.4 | 申请日： | 2015-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN105098586B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 郭强兵;刘小峰;邱建荣 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01S3/16 | 分类号： | H01S3/16;H01S3/11;H01S3/067 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种BaCuSi4O10二维晶体的用途及其构成的饱和吸收体器件。包括封装在透明容器内作为饱和吸收体的二维晶体和承载该饱和吸收体的基体，饱和吸收体是BaCuSi4O10二维层状晶体。本发明发现了新的具有优异饱和吸收特性的材料体系，为开发新型饱和吸收体提供了更大的空间，其器件具有廉价、适合大规模制备、体积小、可组成多种类型的锁模器件的优点，可应用于脉冲光纤激光器等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 饱和吸收体 二维晶体 脉冲光纤激光器 饱和吸收特性 材料体系 层状晶体 锁模器件 透明容器 体积小 二维 封装 制备 承载 应用 发现 开发 | ||
【主权项】：
1.一种BaCuSi4 O10 二维晶体的用途，其特征是：所述BaCuSi4 O10 二维晶体用于制备饱和吸收体的用途。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510536375.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双波长拉曼锁模激光器
- 下一篇：具有往返结构的脉冲光纤激光器
