[发明专利]一种硅基太阳能电池及其单晶硅片钝化方法

摘要

本发明提供一种硅基太阳能电池及其单晶硅片钝化方法，包括如下步骤，1)单晶硅片的清洗对单晶硅进行清洗去除其表面的氧化层和金属离子以及有机物；2)单晶硅片脱水将清洗干净的单晶硅片进行干燥脱水；3)氢化非晶硅锗的沉积将干燥的单晶硅片放入等离子增强化学气相沉积系统中预热，在180℃‑220℃的沉积温度和10W‑20W的等离子体激发功率下，在硅烷、锗烷和氢气气氛中对单晶硅片双面进行氢化非晶硅锗的沉积后，完成对单晶硅片的钝化。本发明所述的钝化方法，在180℃‑220℃的环境中可以实现整个钝化过程，降低了热损伤。整个钝化过程中等离子激发功率10W‑20W，降低了等离子体的损伤。少子寿命高，钝化效果好。

主权项

一种单晶硅片钝化方法，其特征在于，包括如下步骤，1)单晶硅片的清洗：对单晶硅进行清洗去除其表面的氧化层和金属离子以及有机物；2)单晶硅片脱水：将清洗干净的单晶硅片进行干燥脱水；3)氢化非晶硅锗的沉积：将干燥的单晶硅片放入等离子增强化学气相沉积系统中预热，在180℃‑220℃的沉积温度和12W‑200W的等离子体激发功率下，在硅烷、锗烷和氢气气氛中对单晶硅片双面进行氢化非晶硅锗的沉积后，完成对单晶硅片的钝化；单晶硅片经氢化非晶硅锗钝化后在空气中退火6‑10h，退火温度240℃‑300℃；其中，步骤1)中采用改进的标准RCA清洗方法对单晶硅片进行清洗，具体步骤如下：经氨水:双氧水:超纯水体积比例为1:1.5:10的标准一液、超纯水、盐酸:氢氟酸:超纯水体积比例为1:1.5:10的标准二液和超纯水后清洗完成；步骤3)中，等离子增强化学气相沉积系统中的沉积压强1.3Torr‑10Torr，沉积时间50s‑300s，硅烷气体流率1sccm‑100sccm，锗烷气体流率6sccm‑100sccm，氢气流率150sccm‑1000sccm；氢化非晶硅锗沉积厚度为2‑30纳米。