[发明专利]一种X射线传感器及其制造方法在审
申请号: | 201510536889.X | 申请日: | 2015-08-27 |
公开(公告)号: | CN106486501A | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 殷华湘;贾云丛;袁烽;陈大鹏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京维澳专利代理有限公司11252 | 代理人: | 洪余节,党丽 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种X射线传感器,X射线传感器包括多个X射线传感器像素单元,每个X射线传感器像素单元包括本征半导体层100;分别位于本征半导体层100的相对的表面上的第一类型掺杂层110和第二类型掺杂层120,其中第一类型掺杂层110的外轮廓为正六边形;位于第一类型掺杂层110上的电极层106;覆盖电极层106的钝化层108;位于电极层106上的钝化层108中的焊接柱130;其中,多个X射线传感器像素单元规则排列,且呈蜂窝阵列排列,相邻的X射线传感器像素单元的第一类型掺杂层110等间隔且错位非正交排列。本发明的传感器较传统的矩形像素具有更大的像素密度,且探测像素的性能更加均匀。 | ||
搜索关键词: | 一种 射线 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种X射线传感器,其特征在于,包括多个X射线传感器像素单元,每个X射线传感器像素单元包括:本征半导体层;分别位于本征半导体层的相对的两个表面上的第一类型掺杂层和第二类型掺杂层,其中,第一类型掺杂层的外轮廓为正六边形;位于第一类型掺杂层上的电极层;覆盖电极层的钝化层;位于电极层上的焊接柱;其中,多个X射线传感器像素单元规则排列,且呈蜂窝阵列排列,相邻的X射线传感器像素单元的第一类型掺杂层等间隔且错位非正交排列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510536889.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的