[发明专利]紫外光刻机曝光系统用精密介质膜反射镜及其镀制方法有效
申请号: | 201510540067.9 | 申请日: | 2015-08-28 |
公开(公告)号: | CN105093852B | 公开(公告)日: | 2017-07-11 |
发明(设计)人: | 宋光辉;姚春龙;王银河;刘新华;战俊生;李文龙;雷鹏 | 申请(专利权)人: | 沈阳仪表科学研究院有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G02B5/08;G02B1/10;C23C14/08;C23C14/28 |
代理公司: | 沈阳亚泰专利商标代理有限公司21107 | 代理人: | 郭元艺 |
地址: | 110043 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明属半导体集成电路制造领域,特别涉及一种紫外光刻机曝光系统用精密介质膜反射镜及其镀制方法,包括非球面基片(1)及交替叠置多层非周期膜;所述交替叠置多层非周期膜沉积于非球面基片(1)的内表面;交替叠置多层非周期膜包括高折射率镀膜材料层Ta2O5及低折射率膜材料层SiO2。本发明镀制方法包括a、开启真空室;b、控制镀膜温度;c、对非球面基片(1)进行蚀刻;d、镀制膜层。本发明吸收损失小,膜层表面机械强度高,日常维护清洁时不易出现划痕,光学特性稳定,使用周期长,成本低廉。 | ||
搜索关键词: | 紫外 光刻 曝光 系统 精密 介质 反射 及其 方法 | ||
【主权项】:
紫外光刻机曝光系统用精密介质膜反射镜的镀制方法,其特征在于:按如下步骤实施:a、开启真空室,添加镀膜材料,装卡非球面基片(1)及修正挡板(3);b、将镀膜温度控制表设定为200℃,开启加热装置,保持镀膜过程温度恒定;c、当真空室真空度≤4.0×10‑3Pa时,开启流量计,充入混合比例为3:1的氧气与氩气的混合气体,同时开启离子源(4),轰击非球面基片(1)表面,对非球面基片(1)进行蚀刻;d、将多层膜厚度参数输入至膜厚控制仪中,控制各膜层的镀制厚度;采用电子枪(5)按照H1/L1/ ......H n‑1/Ln‑1/Hn规律将Ta2O5与SiO2两种镀膜材料交替沉积在非球面基片(1)内表面,直至第29层Ta2O5膜层结束;e、镀制过程结束后,待真空室温度冷却到100℃左右时,开启真空室门,取出紫外光刻机曝光系统用精密介质膜反射镜,用分光光度计进行光谱测试;紫外光刻机曝光系统用精密介质膜反射镜包括非球面基片(1)及交替叠置多层非周期膜;所述交替叠置多层非周期膜沉积于非球面基片(1)的内表面;所述交替叠置多层非周期膜包括高折射率镀膜材料层及低折射率膜材料层;所述高折射率镀膜材料层及低折射率膜材料层按如下规律沉积于非球面基片(1)的内表面:H1/L1/ ......H n‑1/Ln‑1/Hn;其中,H为高折射率镀膜材料层;L为低折射率膜料层;n为沉积的层数;所述沉积的层数n=29;所述高折射率镀膜材料层采用Ta2O5;低折射率膜材料层采用SiO2。
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