[发明专利]一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法无效
| 申请号： | 201510541609.4 | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105197881A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 赵永梅;何志;季安;王晓峰;黄亚军;潘岭峰;樊中朝;王晓东;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法，其原理是利用金属材料与硅扩散互溶形成金属硅化物，将硅片键合起来。其特点是工艺简单、键合强度高、气密性好、适用范围宽。其中键合方法包括：在第一硅片上制备薄膜层，在第二硅片上制备或不制备薄膜层，在一定温度和压力条件下将第一硅片1和第二硅片3进行热压键合。本发明利用金属材料与硅扩散互溶的原理实现硅-硅的有效键合，其中键合材料为薄膜，可以通过常规淀积工艺很容易得到，同时薄层金属的存在及良好的延展性使得对键合材料的表面平整度、表面粗糙度的要求大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 金属材料 扩散 实现 硅键合 方法 | ||
【主权项】：
一种利用金属材料扩散互溶实现硅‑硅键合的方法，包括如下步骤：步骤1：取一第一硅片；步骤2：采用电子束蒸发或磁控溅射的方法，在第一硅片上制备第一薄膜金属层；步骤3：取一第二硅片；步骤4：将第一硅片制备有第一薄膜金属层的一面与第二硅片进行热压键合，在温度和压力的作用下通过硅‑硅界面的金属扩散互溶形成金属硅化物作为键合层，将第一和第二硅片键合在一起；通过键合时腔室的气氛或真空度控制实现硅‑硅的预定气氛封装或真空封装。
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