[发明专利]半导体装置

摘要

根据一个实施方式的半导体装置，包括：第一导电型的第一半导体区域；第一电极；第二电极；第三电极；第一绝缘区域；第二绝缘区域；第二导电型的第二半导体区域；所述第一导电型的第三半导体区域；所述第二导电型的第四半导体区域；以及第四电极。所述第二电极包括多个第一部分以及一个第二部分，所述第二部分在所述第二方向上位于所述多个第一部分与所述第一电极之间。所述第四半导体区域在所述第一方向上位于所述第二电极的相邻的第一部分之间。

主权项

1.一种半导体装置，包括：第一导电型的第一半导体区域；在第一方向上延伸的第一电极；与所述第一电极分隔开的第二电极，所述第二电极包括：沿所述第一方向彼此分隔开的多个第一部分，所述多个第一部分中的每个第一部分在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，以及在所述多个第一部分之间沿所述第一方向延伸的第二部分，所述第二部分在所述第二方向上位于所述多个第一部分与所述第一电极之间；在所述第二方向上与所述第一电极和所述第二电极分隔开的第三电极；位于所述第一半导体区域与所述第二电极之间的第一绝缘区域；位于所述第一半导体区域与所述第一电极之间以及位于所述第一半导体区域与所述第三电极之间的第二绝缘区域；位于所述第一半导体区域上并隔着所述第二绝缘区域与所述第三电极相邻的第二导电型的第二半导体区域；位于所述第二半导体区域上的所述第一导电型的第三半导体区域；位于所述第一半导体区域上并在所述第一方向上位于所述第二电极的相邻的第一部分之间的所述第二导电型的第四半导体区域；位于所述第四半导体区域上的所述第二导电型的第八半导体区域，其中，所述第八半导体区域中的载流子浓度高于所述第四半导体区域中的载流子浓度；以及位于所述第三半导体区域上并与所述第二半导体区域、所述第三半导体区域、所述第四半导体区域、所述第八半导体区域、所述第一电极、以及所述第二电极电连接的第四电极。