[发明专利]对于过程、温度和电压变化而具有稳定频率的CMOS振荡器有效

专利信息
申请号: 201510542100.1 申请日: 2015-08-28
公开(公告)号: CN105391424B 公开(公告)日: 2018-10-30
发明(设计)人: V·拉纳;G·拉加尔 申请(专利权)人: 意法半导体国际有限公司
主分类号: H03K3/011 分类号: H03K3/011
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;吕世磊
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 本公开涉及对于过程、温度和电压变化而具有稳定频率的CMOS振荡器。时钟信号生成电路被配置为生成具有跨越多个运行条件的变化而被保持的频率的时钟信号,多个运行条件的变化例如供应电压、温度以及处理时间的改变。在实施例中,PVT补偿的CMOS环形振荡器的生成的时钟信号的频率扩展被配置用于补偿供应电压的变化以及用于经由过程和温度补偿电路来补偿过程和温度的变化。PVT补偿的CMOS环形振荡器包括经调节的电压供应电路,以生成抵抗由于总供应电压的改变而导致的变化的供应电压。
搜索关键词: 对于 过程 温度 电压 变化 具有 稳定 频率 cmos 振荡器
【主权项】:
1.一种电子器件,包括:节点,被配置为接收电压信号;第一电路,被耦合到所述节点并且被配置为响应于所述电压信号而生成时钟信号;以及第二电路,被耦合到所述第一电路并且被配置为响应于运行条件而更改生成的所述时钟信号,其中所述第一电路包括CMOS振荡器,所述CMOS振荡器包括:电平移位器;第一电流饥饿型反相器,被耦合到所述电平移位器;第一缓冲器,被耦合到所述第一电流饥饿型反相器;第一电容器,被耦合到所述第一电流饥饿型反相器并且被耦合到所述电平移位器;第二电流饥饿型反相器,被耦合到所述电平移位器;第二缓冲器,被耦合到所述第二电流饥饿型反相器;以及第二电容器,被耦合到所述第二电流饥饿型反相器并且被耦合到所述电平移位器。
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