[发明专利]一种射频三极管的制作方法及射频三极管

摘要

本发明提供了一种射频三极管的制作方法及射频三极管，其中，制作方法包括：在射频三极管半成体的第二氧化层上制作连通P+基区的第一接触孔和连通P－基区的第二接触孔，然后分别在场氧化层表面、第二氧化层表面、第一接触孔及第二接触孔内淀积多晶硅，并在多晶硅内注入N型离子，此后对场氧化层表面、第二氧化层表面及第一接触孔内的多晶硅进行光刻及刻蚀，然后再对第二接触孔内的多晶硅进行退火，此时就可以在P－基区中形成N+发射区，同时不影响P+基区。本发明将P+基区和P－基区的接触孔的光刻及刻蚀合并到一起来完成，相对于常规做法，省去了一层光刻，对射频三极管的制作流程进行了优化，减少了制作工艺的复杂程度，节约了制作成本。

主权项

一种射频三极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：制作射频三极管半成体，所述射频三极管半成体包括N+衬底、位于所述N+衬底一侧的N－外延层、位于所述N－外延层上的场氧化层及第一氧化层、位于所述第一氧化层覆盖的N－外延层内间隔分布的P－基区及P+基区、以及位于所述第一氧化层上的第二氧化层，其中，所述P－基区内注入有第一离子，所述P+基区内注入有第二离子；在所述第二氧化层上制作连通P+基区的第一接触孔和连通P－基区的第二接触孔；分别在场氧化层表面、第二氧化层表面、第一接触孔及第二接触孔内淀积多晶硅；在所述多晶硅内注入N型离子；对所述场氧化层表面、第二氧化层表面及第一接触孔内的多晶硅进行光刻及刻蚀；对所述第二接触孔内的多晶硅进行退火，使得所述多晶硅内的N型离子通过所述第二接触孔进入所述P－基区，形成N+发射区；分别在所述第一接触孔内及多晶硅表面制作金属层。