[发明专利]一种横向高压功率器件的结终端结构

摘要

本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，曲率结终端结构中N型漂移区2内壁和P型埋层9内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2内壁和P型埋层9内壁连接，延伸方向与直接结终端结构中N型漂移区2和P型埋层9内壁垂直方向都具有ɑ度夹角，ɑ度夹角为45度；这样可以有效缓解连接处电场的曲率效应。在连接处延伸方向的垂直方向，P型埋层9超出N型漂移区2距离为5微米，改善电荷不平衡问题。本发明的有益效果为，改善直线结终端结构与曲率结终端结构相连部分电荷不平衡与连接处电场曲率效应的问题，避免器件提前击穿，从而得到最优化的击穿电压。

主权项

一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；所述直线结终端结构与横向高压功率器件有源区结构相同，包括漏极N+接触区(1)、N型漂移区(2)、P型衬底(3)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、P‑well区(6)、源极N+接触区(7)、源极P+接触区(8)、P型埋层(9)；P‑well区(6)与N型漂移区(2)位于P型衬底(3)的上层，其中P‑well区(6)位于中间，两边是N型漂移区(2)，且P‑well区(6)与N型漂移区(2)相连；N型漂移区(2)中远离P‑well区(6)的两侧是漏极N+接触区(1)，P‑well区(6)的表面具有与金属化源极相连的源极N+接触区(7)和源极P+接触区(8)，其中源极P+接触区(8)位于中间，源极N+接触区(7)位于源极P+接触区(8)两侧；P型埋层(9)位于N型漂移区(2)中，在P‑well区(6)与N+接触区(1)之间；源极N+接触区(7)与N型漂移区(2)之间的P‑well区(6)表面的上方是栅氧化层(5)，栅氧化层(5)的表面的上方是栅极多晶硅(4)；所述曲率结终端结构包括漏极N+接触区(1)、N型漂移区(2)、P型衬底(3)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、P‑well区(6)、源极P+接触区(8)、P型埋层(9)；P‑well区(6)表面上方是栅氧化层(5)，栅氧化层(5)的表面上方是栅极多晶硅(4)；曲率结终端结构中的N+接触区(1)、N型漂移区(2)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)和P型埋层(9)分别与直线结终端结构中的N+接触区(1)、N型漂移区(2)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)和P型埋层(9)相连并形成环形结构；其中，曲率结终端结构中的环形N+接触区(1)包围环形N型漂移区(2)，曲率结终端结构中的环形N型漂移区(2)内有环形栅极多晶硅(4)和环形栅氧化层(5)；与“直线结终端结构中的P‑well区(6)与N型漂移区(2)相连”不同的是，曲率结终端结构中的P‑well区(6)与N型漂移区(2)不相连且相互间距为LP，LP的具体取值范围在数微米至数十微米之间；其特征在于，所述曲率结终端结构中N型漂移区(2)与直线结终端结构中N型漂移区(2)连接处靠近P‑well区(6)的一侧，曲率结终端结构中N型漂移区(2)的末端具有第一斜面，所述第一斜面与P‑well区(6)连接，第一斜面与器件横线方向具有ɑ度夹角；所述曲率结终端结构中P型埋层(9)与直线结终端结构中P型埋层(9)连接处靠近P‑well区(6)的一侧，曲率结终端结构中P型埋层(9)的末端具有第二斜面，所述第二斜面与第一斜面平行；ɑ度夹角的具体取值范围为30度到60度；所述第一斜面和第二斜面之间的间距为b，b的具体取值范围为0到15微米；所述曲率结终端结构中的环形P型埋层(9)的内壁与曲率结终端结构中的环形N型漂移区(2)和P型衬底(3)的连接处的间距为a。