[发明专利]一种LED结构及其生长方法在审
| 申请号： | 201510543049.6 | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105206726A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 李毓锋;曲爽;逯遥;王成新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种LED结构，包括衬底层、GaN缓冲层、非掺杂GaN层和掺杂Si的GaN层、P型AlGaN层和P型GaN层；其特征在于，在所述掺杂Si的GaN层和P型AlGaN层之间包括InGaN/GaN超晶格垒层的多量子阱有源区。本发明采用InGaN/GaN超晶格层代替传统的GaN势垒层，能够减小势垒层与势阱层的晶格失配度，能够有效的改变MQW的晶体质量，提高电子-空穴波函数的重叠几率，增加多量子阱的自发辐射速率和内量子效率，最终提高GaN基LED器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种LED结构，包括衬底层、GaN缓冲层、非掺杂GaN层和掺杂Si的GaN层、P型AlGaN层和P型GaN层；其特征在于，在所述掺杂Si的GaN层和P型AlGaN层之间包括InGaN/GaN超晶格垒层的多量子阱有源区。
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