[发明专利]存储器元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种存储器元件及其制造方法。存储器元件包括隧穿介电层、浮置栅极、栅间介电层、控制栅级以及源极区与漏极区。隧穿介电层位于基底上。浮置栅极包括第一部分位于隧穿介电层上及其上的第二部分。第一部分含有第一掺质与第二掺质；第二部分含有第一掺质。第一部分的粒径小于第二部分的粒径，且第一部分的平均粒径介于至栅间介电层位于浮置栅极上。控制栅极位于栅间介电层上。源极区与漏极区位于浮置栅极的两侧的基底中。

主权项

一种存储器元件，包括：隧穿介电层，位于基底上；浮置栅极，包括位于所述隧穿介电层上的第一部分及所述第一部分上的第二部分，其中所述第一部分含有第一掺质与第二掺质，所述第二部分含有所述第一掺质；栅间介电层，位于所述浮置栅极上；控制栅极，位于所述栅间介电层上；以及源极区与漏极区，位于所述浮置栅极的两侧的所述基底中，其中所述第一部分的粒径小于所述第二部分的粒径，且所述第一部分的平均粒径介于至