[发明专利]半导体装置和半导体系统有效

专利信息
申请号: 201510543302.8 申请日: 2015-08-28
公开(公告)号: CN105404410B 公开(公告)日: 2020-06-26
发明(设计)人: 朴埈彻;金范洙;鱼贤圭;姜尚协;金瑳童;卞山镐;李进喆;崔伦竞 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;G06F3/044
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 王兆赓
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体装置和半导体系统,其可通过三级相关双采样(CDS)来增强针对噪声的抗干扰性。半导体装置包括:放大器,通过外部输入来接收从面板提供的噪声和驱动信号,针对驱动信号的预定时间段进行重置且通过重置对噪声进行第一采样来生成第一采样噪声,第一采样噪声包括连续的重置时间点的噪声之间噪声差;采样器,对第一噪声交替地执行第二采样和第三采样来生成第二采样噪声和第三采样噪声且对第二采样噪声和第三采样噪声执行第四采样来生成第四采样噪声。这里,第一采用噪声包括第一噪声差至第三噪声差,第二采样噪声为第一噪声差与第二噪声差之差,第三噪声为第二噪声差与第三噪声差之差,第四采样噪声为第二采样噪声与第三采样噪声之差。
搜索关键词: 半导体 装置 系统
【主权项】:
一种半导体装置,包括:放大器,接收从面板通过外部输入提供的噪声和驱动信号,针对驱动信号的每个预定时间段进行重置且通过重置对噪声执行第一采样来生成第一采样噪声,第一采样噪声包括两个连续的重置时间点的噪声之间的噪声差;采样器,对第一采样噪声交替地执行第二采样和第三采样来生成第二采样噪声和第三采样噪声且对第二采样噪声和第三采样噪声执行第四采样来生成第四采样噪声,其中,第一采样噪声包括第一噪声差至第三噪声差,第二采样噪声为第一噪声差与第二噪声差之差,第三采样噪声为第二噪声差与第三噪声差之差,第四采样噪声为第二采样噪声与第三采样噪声之差。
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