[发明专利]第III族氮化物半导体发光装置及其制造方法

摘要

本发明提供了第III族氮化物半导体发光装置及其制造方法，其中，在对Ag原子和Al原子中至少之一的迁移进行抑制的同时简化了所述制造方法。所述制造方法包括以下步骤形成第一电极，形成第二电极，以及在所述第二电极上形成第二电极侧阻挡金属层。此外，所述第二电极具有包括Ag和Al中至少之一的电极层。在形成第一电极和第二电极侧阻挡金属层时，在第二电极上形成第二电极侧阻挡金属层的同时，形成电连接至第一半导体层的第一电极。在同一层状结构中沉积第一电极和第二电极侧阻挡金属层。

主权项

一种用于制造第III族氮化物半导体发光装置的方法，所述第III族氮化物半导体发光装置包括n型半导体层、发光层和p型半导体层，所述方法包括：在部分所述p型半导体层上形成至少一个电流阻挡层；在所述p型半导体层和所述电流阻挡层上形成透明电极；在所述透明电极上形成具有p侧接触间隙的p侧绝缘层；形成待电连接至所述n型半导体层的n电极；形成待电连接至所述透明电极的p电极；以及在所述p电极上形成p电极侧阻挡金属层；其中所述p电极具有包括Ag和Al中至少之一的电极层；在形成所述n电极以及形成所述p电极侧阻挡金属层时，在所述p电极上形成所述p电极侧阻挡金属层的同时，形成待电连接至所述n型半导体层的所述n电极；以及在同一层状结构中沉积所述n电极和所述p电极侧阻挡金属层；以及其中所述p电极形成在所述p侧绝缘层上并且通过所述p侧接触间隙接触所述透明电极，其中形成有所述电流阻挡层的所述部分位于所述p侧接触间隙下方。