[发明专利]衬底处理装置、衬底处理系统及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201510543352.6 | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN106449468A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 大桥直史;高野智;菊池俊之 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 杨宏军;王大方 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及衬底处理装置、衬底处理系统及半导体器件的制造方法。本发明的课题在于抑制半导体器件的特性的不均。为了解决上述课题，本发明提供如下结构，其具有：接收部，接收形成于衬底上的含硅膜的膜厚分布数据；衬底载置部，载置有衬底；和气体供给部，以在含硅膜上以与所述膜厚分布数据的膜厚分布不同的膜厚分布形成硬掩膜、并使衬底面内的硬掩膜的高度分布在规定范围内的方式，供给气体。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 系统 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底处理装置，其具有：接收部，接收形成于衬底上的含硅膜的膜厚分布数据；衬底载置部，载置有所述衬底；和气体供给部，以在所述含硅膜上以与所述膜厚分布数据的膜厚分布不同的膜厚分布形成硬掩膜、并使衬底面内的所述硬掩膜的高度分布在规定范围内的方式，供给气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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