[发明专利]采用聚焦离子束的电路跟踪有效
申请号: | 201510543815.9 | 申请日: | 2015-08-28 |
公开(公告)号: | CN106409708B | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 克里斯多夫·帕夫洛维奇;亚历山大·索金;亚历山大·克里茨米尔 | 申请(专利权)人: | 泰科英赛科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 董科 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 所描述的是用于通过采用聚焦离子束为基础的成像技术跟踪在集成电路上的电路的方法和系统的多个实施例。在一该实施例中,用于识别与集成电路上的可切换电源接口有关联的功能性元件部分的一方法,其中该可切换电源接口包括一个之间带有控制开关的源极和漏极,在集成电路运行的过程中,所述控制开关通过控制信号而可控.该方法包括:a.通过沉积的导电材料连接源极和漏极;b.通过源极和漏极的其中一个极,将一个外部偏置电压施加于该可切换电源接口的电源输入;c.将集成电路暴露于一聚焦离子束;d.在暴露的过程中收集集成电路的图像,以确定与可关断电源接口进行有效连接的高对比度指示功能元件部分的区域。 | ||
搜索关键词: | 采用 聚焦 离子束 电路 跟踪 | ||
【主权项】:
一种识别与集成电路上的可切换电源接口有关联的功能性元件部分的方法,其特征在于,该可切换电源接口包括之间有一控制开关的一源极和一漏极,在集成电路运行期间,所述控制开关通过控制信号而可控,该方法包括:与沉积的导电材料,源极和漏极的连接;通过源极和漏极的其中一个极,将一外部偏置电压施加于一可切换电源接口的电源输入;使该集成电路暴露于一聚焦离子束下;以及在暴露的过程中收集集成电路的图像,以确定与该可切换电源接口有效连接的高对比度指示功能元件部分的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造