[发明专利]稀土永磁材料的制造方法

摘要

本发明提供一种稀土永磁材料的制造方法。本发明所述的制造方法包括雾化喷敷工艺和渗透工艺，其中，在渗透前先将雾化喷敷后的烧结稀土磁体置于密闭容器中。通过在烧结R1‑Fe(Co)‑B‑A‑X‑M稀土磁体表面雾化喷敷含重稀土元素的溶液，经烘烤后进行热处理使喷敷后的重稀土元素渗透至烧结稀土磁体的晶界相。采用本发明的制造方法比传统工艺节约了重稀土元素用量，降低了生产成本。此外，本发明的制造方法可以在剩磁降低很小的前提下，大幅度提高磁体的矫顽力，并且磁体的剩磁温度系数和矫顽力温度系数明显降低，磁体在高温下的抗退磁能力得到明显改善。

主权项

稀土永磁材料的制造方法，其特征在于，包括如下工序：S2)雾化喷敷工序：将含元素R2的溶液雾化后对烧结稀土磁体进行喷敷，并对喷敷后的烧结稀土磁体进行烘烤；和S3)渗透工序：对由雾化喷敷工序S2)得到的烧结稀土磁体进行热处理；其中，所述烧结稀土磁体为R1‑Fe(Co)‑B‑A‑X‑M系稀土磁体，其中，R1是选自Nd、Pr、La、Ce、Tb、Dy、Ho、Er、Eu、Sm、Gd、Pm、Tm、Yb、Lu、Y和Sc中的一种或多种元素；B表示硼元素；A是选自H、Li、Na、K、Be、Sr、Ba、Ag、Zn、N、F、Se、Te、Pb和Ga中的一种或多种元素；X是选自S、C、P和Cu中的一种或多种元素；M是选自Ti、Ni、Bi、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Al、Sb、Ge、Sn、Zr、Hf和Si中的一种或多种元素；R2是选自Tb、Dy、Ho和Gd中的一种或多种元素；其中，在进行渗透工序S3)之前，先将由雾化喷敷工序S2)得到的烧结稀土磁体置于密闭容器中；然后将该密闭容器置于真空渗透炉中进行渗透工序S3)；在雾化喷敷工序S2)中，所述含元素R2的物质的平均粒度小于3μm；在渗透工序S3)中，绝对真空度小于等于0.01Pa；先在700～850℃的温度下保温0.5～5小时，再在900～950℃的温度下保温1～8小时。