[发明专利]半导体装置

摘要

根据一个实施方式的半导体装置，包括元件区域和包围所述元件区域的终端区域，该半导体装置还包括：具有第一导电型的第一半导体区域；具有第二导电型并被设置在所述第一半导体区域上的第二半导体区域；具有所述第一导电型并被设置在所述第二半导体区域上的第三半导体区域。第一电极与所述第一半导体区域电连接，第二电极与所述第三半导体区域电连接。第三电极和第四电极位于所述元件区域中。从所述第一电极到所述第三电极的距离比从所述第一电极到所述第四电极的距离短。

主权项

1.一种半导体装置，包括：元件区域和在第一平面中包围所述元件区域的终端区域；具有第一导电型的第一半导体区域；具有第二导电型并被设在所述第一半导体区域上的第二半导体区域；具有所述第一导电型并被设在所述第二半导体区域上的第三半导体区域；第一电极，所述第一电极与所述第一半导体区域电连接；第二电极，所述第二电极与所述第三半导体区域电连接；位于所述元件区域中并隔着第一绝缘膜与所述第一半导体区域、所述第二半导体区域、以及所述第三半导体区域相邻的第三电极；在所述元件区域中沿着平行于所述第一平面的第一方向位于所述第三电极与所述终端区域之间的第四电极，所述第四电极隔着第二绝缘膜与所述第一半导体区域、所述第二半导体区域、以及所述第三半导体区域相邻；沿着与所述第一平面交叉的第二方向位于所述第一电极与所述第三电极之间的第五电极；以及沿着所述第二方向位于所述第一电极与所述第四电极之间的第六电极，其中，沿着所述第二方向从所述第一电极到所述第五电极的第一距离比沿着所述第二方向从所述第一电极到所述第六电极的第二距离长，所述第五电极沿着与所述第一平面平行的第三方向延伸，所述第二方向上的从所述第一电极到所述第五电极的端部的距离比所述第一距离短，所述第五电极的端部沿着所述第三方向延伸到所述终端区域。