[发明专利]一种定点化学染结方法在审
| 申请号： | 201510546704.3 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN105161440A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 马香柏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种定点化学染结方法，包含：第1步，对硅片进行减划，简化成条状薄片，把定点染结区包含在内；第2步，将样品放置在聚焦离子束机台上；第3步，在定点染结区两侧挖出凹坑；第4步，取下样品，放进化学器皿进行化学染结；第5步，采用常规透射电镜观察方式进行目标PN结的观察，获得结深以及缺陷信息。本发明通过在定点制样区两侧聚焦离子束挖出凹坑，精确定位染结位置，充分发挥化学染结液的显结作用，获得结深以及结缺陷等工艺信息。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 定点 化学 方法 | ||
【主权项】：
一种定点化学染结方法，其特征在于，包含：第1步，对硅片进行减划，简化成条状薄片，把定点染结区包含在内；第2步，将样品放置在聚焦离子束机台上；第3步，在定点染结区两侧挖出凹坑；第4步，取下样品，放进化学器皿进行化学染结；第5步，采用常规透射电镜观察方式进行目标PN结的观察，获得结深以及缺陷信息。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
