[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201510546719.X | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106486375B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有鳍部，所述衬底表面具有隔离层，且所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁表面；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构位于所述鳍部的部分侧壁和顶部表面；在所述栅极结构至少一侧的鳍部内形成第一凹槽；在所述第一凹槽内、以及所述栅极结构至少一侧的鳍部侧壁表面形成轻掺杂外延层，所述轻掺杂外延层内具有掺杂离子；在所述栅极结构两侧的轻掺杂外延层和鳍部内形成源区和漏区。所形成的半导体结构性能改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有鳍部，所述衬底表面具有隔离层，且所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁表面；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构位于所述鳍部的部分侧壁和顶部表面；在所述栅极结构至少一侧的鳍部内形成第一凹槽；在所述第一凹槽内、以及所述栅极结构至少一侧的鳍部侧壁表面形成轻掺杂外延层，所述轻掺杂外延层内具有掺杂离子；在所述栅极结构两侧的轻掺杂外延层和鳍部内形成源区和漏区；所述源区和漏区的形成步骤包括：在所述栅极结构两侧的轻掺杂外延层和鳍部内形成第二凹槽；在所述第二凹槽内形成应力层；在所述应力层内掺杂离子；所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
