[发明专利]基于微波等离子体对铜铟镓硒表面改性的处理方法及系统有效

专利信息
申请号: 201510546784.2 申请日: 2015-08-31
公开(公告)号: CN105088161B 公开(公告)日: 2017-06-27
发明(设计)人: 焦飞;赵夔 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/16
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 代理人: 王岩
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了易总基于微波等离子体对铜铟镓硒表面改性的处理方法及系统。本发明通过微波电离惰性气体产生微波等离子体,并作用到铜铟镓硒CIGS薄膜的表面,在微米量级上进行高强度的反溅射和退火,不仅可以去除表面的Cu‑Se相,还可以对薄膜进行进一步的退火,减弱Ga的不均匀状况,从而达到材料表面改性的目的;CIGS薄膜做为CIGS太阳能电池的主吸收层,该层薄膜的质量直接决定了CIGS太阳能电池的好坏,经过ECR改性的CIGS薄膜为获得更高光电转换效率的CIGS电池奠定了基础,并经过试验验证,切实可行。
搜索关键词: 基于 微波 等离子体 铜铟镓硒 表面 改性 处理 方法 系统
【主权项】:
一种对铜铟镓硒的表面改性的处理方法,其特征在于,所述处理方法包括以下步骤:1)通过溅射方法在衬底上制备钼Mo薄膜;2)通过溅射后硒化法或者三步共蒸发方法在Mo薄膜上制备铜铟镓硒CIGS薄膜;3)将制备好的CIGS薄膜置于真空室内的样品架上;4)开启微波等离子体产生磁场线圈的电源,调节电流使微波等离子体产生磁场线圈产生的磁场与微波的频率相匹配,为微波等离子体产生提供磁场基础;5)向微波等离子体产生室送入惰性气体;6)开启微波功率源,调节微波的频率f,为微波等离子体产生提供基础,此时微波等离子体产生室的惰性气体电离,产生微波等离子体;7)开启偏转线圈的电源,偏转线圈产生的磁场将微波等离子体从微波等离子体产生室引出至样品架,对CIGS薄膜进行处理;8)开启高压电源,在微波等离子体产生室与样品架之间加载高压加强等离子体束流强度;9)处理完后依次关闭高压电源、微波功率源、磁场电源,并将CIGS薄膜取出,铜铟镓硒的表面改性处理完成。
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