[发明专利]刻蚀方法、物品及半导体装置的制造方法、以及刻蚀液有效
| 申请号： | 201510546860.X | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN105428230B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 浅野佑策 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C09K13/00;C23F1/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周欣;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种刻蚀方法、物品及半导体装置的制造方法、以及刻蚀液，所述刻蚀方法包含在由半导体形成的结构物上形成包含贵金属的催化剂层的工序、和通过将所述结构物浸渍在含有氢氟酸、氧化剂和有机添加剂的刻蚀液中，将所述结构物中的与所述催化剂层相接的部分除去的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 物品 半导体 装置 制造 以及 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀方法，其中包含以下工序：在由半导体形成的结构物上形成包含贵金属的催化剂层的工序；通过将所述结构物浸渍在含有氢氟酸、氧化剂和有机添加剂的刻蚀液中，将所述结构物中的与所述催化剂层相接的部分除去的工序，所述有机添加剂为选自聚乙二醇、琥珀酸、苹果酸、二丙基胺及丙氨酸之中的1种以上的化合物，所述刻蚀液中的所述有机添加剂的浓度在0.01质量％～1质量％的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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