[发明专利]碳化硅纳米线‑石墨复合阴极及其制备方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅纳米线‑石墨复合阴极及其制备方法。该碳化硅纳米线‑石墨复合阴极是由石墨阴极坯体和碳化硅纳米线组成，碳化硅纳米线原位生长且均匀分布于石墨阴极坯体的刃口部位。制备方法包括（1）以Si粉和SiC粉的混合物或者Si粉为硅源，以石墨阴极坯体为基体，置于反应容器中；（2）将反应容器于烧结炉中先抽真空，然后通入惰性气体加热升温，经保温后，得到碳化硅纳米线‑石墨复合阴极。本发明的碳化硅纳米线‑石墨复合阴极具有使用寿命长、均匀性好、表面场增强因子大的特点，制备方法简单方便、成本低廉。

主权项

一种碳化硅纳米线‑石墨复合阴极，其特征在于，所述碳化硅纳米线‑石墨复合阴极是由石墨阴极坯体和碳化硅纳米线组成，所述碳化硅纳米线原位生长且均匀分布于所述石墨阴极坯体的刃口部位，所述石墨阴极坯体的形状为环状，所述碳化硅纳米线‑石墨复合阴极应用于高功率微波领域。