[发明专利]一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法

摘要

一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法，它涉及红外透明导电氧化物薄膜的制备方法，尤其涉及一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法。本发明要解决现有的被动式红外探测系统中红外透明导电薄膜不能同时兼顾屏蔽干扰电磁波信号和保持中、远红外波段高透过性的问题。本发明按以下步骤进行一、焊接；二、清洗；三、镀膜前准备工作；四、在氧气氛中溅射镀膜；五、关机。本发明解决了红外透明导电薄膜不能同时兼顾屏蔽干扰电磁波信号和保持中、远红外波段高透过性的问题。本发明适用于红外透明导电氧化物薄膜的制备领域。

主权项

一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于它按以下步骤进行：一、焊接：将一块尺寸为10mm×10mm，厚度为1mm的Cu片，利用压力电阻焊焊于直径为49mm的金属钇靶材上，形成一个组合靶材；其中压力电阻焊的工艺参数为：压力为5kg～8kg，电流为150A～176A，电压为75V～100V；Cu片位于距钇靶中心径向距离为10mm～12mm处；二、清洗：将步骤一中得到的组合靶材依次放在丙酮、酒精和去离子水中，在超声功率为300W～600W的条件下各清洗15min～30min，得到洁净的组合靶材；将ZnS衬底依次放在丙酮、酒精和去离子水中，在超声功率为300W～600W的条件下各清洗15min～30min，得到洁净的衬底材料；三、镀膜前准备工作：首先将洁净的组合靶材安装至磁控溅射靶靶套上，并将洁净的ZnS衬底置于高真空磁控溅射镀膜系统内的加热台上的中心位置，然后启动真空系统将真空仓内抽成真空，使得真空度为1.0×10‑4Pa～8.0×10‑4Pa，接着启动加热装置，加热衬底温度至200℃～700℃；四、在氧气氛中溅射镀膜：首先调节所述洁净的组合靶材的溅射功率在60W～200W之间，氩气气体流量调节为50sccm～150sccm，进行反溅和启辉操作后，通入氧气，氧气气体流量调节在2sccm～10sccm之间，将真空仓内气体压强降至0.8Pa～1.2Pa，并预溅射5min～10min，预溅射结束后，保持组合靶材溅射功率在60W～200W之间，开始向ZnS衬底表面镀膜，镀膜时间为1h～2h；五、关机：关闭所有气阀及高真空磁控溅射系统操纵开关，关闭电源并将真空仓内温度降至25℃～70℃之间，得到膜厚为80nm～320nm的掺Cu的Y2O3薄膜。