[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
申请号: | 201510547161.7 | 申请日: | 2015-08-31 |
公开(公告)号: | CN105977242A | 公开(公告)日: | 2016-09-28 |
发明(设计)人: | 栗田洋一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/13;H01L23/14;H01L23/538;H01L21/768 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 高迪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 实施方式的半导体装置及其制造方法具有:层叠体(20),该层叠体(20)包括多个半导体芯片(11a~11h),多个半导体芯片的至少一部分具有贯通半导体芯片的电极(12),多个半导体芯片层叠并且通过电极互相连接,层叠体(20)具有第1宽度(W1);硅基板(30),设置在层叠体的第1面上,具有比第1宽度宽的第2宽度(W2);布线层(50),设置在层叠体的第2面上;及树脂(42,45),设置在层叠体的周围。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,具备:层叠体,该层叠体包括多个半导体芯片,所述多个半导体芯片的至少一部分具有贯通所述半导体芯片的电极,所述多个半导体芯片层叠并且通过所述电极互相连接,该层叠体具有第1宽度;硅基板,设置在所述层叠体的第1面上,具有比所述第1宽度宽的第2宽度;布线层,设置在所述层叠体的第2面上;以及树脂,设置在所述层叠体的周围。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510547161.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置
- 下一篇:微电子装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类