[发明专利]一种LTCC基板上多台阶空腔的制作方法有效
| 申请号： | 201510547178.2 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN105244285B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 高亮;王啸;周冬莲;薛峻 | 申请（专利权）人： | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人： | 耿英,董建林 |
| 地址： | 215163 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LTCC基板上多台阶空腔的制作方法，对空腔结构进行分解，根据各阶台阶的不同厚度，分别采用不同层数、开有相应开孔的生瓷片进行叠加；对叠加构成各个台阶和基板底座的生瓷片分别进行第一次层压形成各独立的生瓷坯；将各个构成台阶的生瓷坯依次叠加在基板底座的生瓷坯上，并在最上层的生瓷坯上放置可覆盖开孔的软硅胶，再进行第二次层压形成LTCC基板；第二次层压完成后，取出软硅胶。本发明的方法工艺操作方法简单，不需要根据不同空腔尺寸计算空腔模具尺寸或牺牲层材料尺寸；软硅胶可重复使用，不需要制作金属模具或使用牺牲层材料，节约成本；特别适合形状不规则，结构复杂的多阶台阶的空腔制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ltcc 基板上多 台阶 空腔 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LTCC基板上多台阶空腔的制作方法，其特征是，包括以下步骤：1）对空腔结构进行分解，根据各阶台阶的不同厚度，分别采用不同层数、开有相应开孔的生瓷片进行叠加；构成基板底座的多层生瓷片也进行叠加；2）对叠加构成各个台阶和基板底座的生瓷片分别进行第一次层压形成各独立的生瓷坯；3）将各个构成台阶的生瓷坯依次叠加在基板底座的生瓷坯上，并在最上层的生瓷坯上放置可覆盖开孔的软硅胶，再进行第二次层压形成LTCC基板；4）第二次层压完成后，取出软硅胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
