[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201510547355.7 | 申请日： | 2013-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN105047773B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 傅毅耕 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开多种发光二极管，发光二极管包括蓝宝石基板、N型半导体层、有源层、P型半导体层、第一电极与第二电极。N型半导体层位于蓝宝石基板上。有源层具有缺陷密度为DD≥2×107/cm3的活性区，有源层位于N型半导体层与P型半导体层之间。有源层发出的光波长λ满足222nm≤λ≤405nm，有源层包括i层的量子磊层及(i‑1)层量子阱层。各量子阱层位于任意两层量子磊层之间，i为大于等于2的自然数。其中一种发光二极管的有源层中，掺杂N型杂质于量子磊层中的至少k层，k为大于等于1的自然数，当i为偶数时，k≥i/2，当i为奇数时，k≥(i‑1)/2。第一电极与第二电极分别位于N型半导体层与P半导体层上。 | ||
| 搜索关键词： | 源层 发光二极管 量子 蓝宝石基板 第二电极 第一电极 量子阱层 半导体层 掺杂N型 光波长 活性区 两层 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：一基板；一N型半导体层与一P型半导体层，其中该N型半导体层位于该基板与该P型半导体层之间；一有源层，位于该N型半导体层以及该P型半导体层之间，该有源层发出的光波长λ满足222nm≤λ≤405nm，该有源层包括i层的量子磊层以及(i‑1)层量子阱层，各量子阱层位于任意两层量子磊层之间，且i为大于等于2的自然数，该i层中各量子磊层的厚度自该P型半导体层侧起算依序为T1、T2、T3…Ti，其中T1大于T2与T3；以及一第一电极以及一第二电极，其中该第一电极位于该N型半导体层的部分区域上，且该第二电极位于该P型半导体层的部分区域上。
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