[发明专利]一种高响应度雪崩光电二极管制备方法在审
| 申请号： | 201510547504.X | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN105118886A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 陈良惠;李慧梅;李晓敏;李健;于海龙;宋国峰;徐云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种垂直型雪崩光电二极管及其制备方法。所述雪崩光电二极管的制备方法包括：刻蚀垂直台面至In0.53Ga0.47As牺牲层；钝化台面侧壁及上表面；腐蚀去除In0.53Ga0.47As牺牲层实现衬底剥离；在N型InP欧姆接触层表面制备光学增透膜；上下表面制备P、N接触金属层，最后在P型接触金属层上再形成平坦的高反射镜面金属层。通过光学增透膜及平坦高反射金属层的有效结合，有效提高了雪崩光电二极管的响应度。本发明制备的高响应度的垂直型InP/In0.53Ga0.47As雪崩光电二极管具有成本低、制备工艺简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 响应 雪崩 光电二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种雪崩光电二极管，其特征在于，所述雪崩光电二极管的外延结构由底层向上具体包括：半绝缘InP衬底、In0.53Ga0.47As牺牲层、N型InP欧姆接触层、In0.53Ga0.47As吸收层、InGaAsP组分渐变层、厚度为150nm、掺杂浓度为1.5×1017cm‑3的InP电荷控制层、InP倍增层、InP帽层、重掺杂P型In0.53Ga0.47As欧姆接触层，其中，所述雪崩光电二极管为通过腐蚀所述牺牲层而剥离衬底形成的垂直型背入射雪崩光电二极管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510547504.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种针对模拟量控制的教学实验台
- 下一篇：一种汽车发动机翻转架
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
