[发明专利]可调节的混合成像探测器像元结构及其制备方法有效
申请号: | 201510547857.X | 申请日: | 2015-08-31 |
公开(公告)号: | CN105206636B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 康晓旭 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;尹英 |
地址: | 201210 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种可调节的混合成像探测器像元结构及其制备方法,包括将可见光感应区域和红外感应区域集成在芯片中,红外感应区域包括:位于半导体衬底上表面的红外窗口材料,用于选择性透过所需波段的红外光;位于红外窗口材料两侧的半导体衬底上表面的互连层;位于红外窗口材料和互连层的上表面的介质层;在红外窗口材料上方两侧的介质层中具有接触沟槽结构;红外感应结构,其具有第一中间拱起部分和第一端部支撑部分,第一中间拱起部分位于红外窗口材料的正上方对应位置,且与介质层之间构成第一空腔;第一端部支撑部分的电极层与接触沟槽结构相接触;以及位于红外感应结构的外围且的支撑部件。 | ||
搜索关键词: | 红外窗口材料 介质层 红外感应区域 衬底上表面 探测器像元 第一端部 红外感应 混合成像 接触沟槽 互连层 可调节 拱起 制备 半导体 红外光 可见光感应 选择性透过 第一空腔 支撑部件 电极层 上表面 波段 支撑 外围 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种可见光红外混合成像探测器像元结构,其特征在于,包括:一半导体衬底,作为可见光过滤层;可见光感应区域,位于所述半导体衬底下表面,所述可见光感应区域包括可见光感应部件和引出极;红外感应区域,位于半导体衬底上表面,其包括:红外窗口材料,用于选择性透过所需波段的红外光;互连层,位于所述红外窗口材料两侧的所述半导体衬底上表面;介质层,位于所述红外窗口材料和所述互连层的上表面;在所述红外窗口材料上方两侧的所述介质层中具有接触沟槽结构;红外感应结构,包括:下释放保护层、红外感应部件、电极层和上释放保护层;所述红外感应结构具有第一中间拱起部分和第一端部支撑部分,所述第一中间拱起部分位于所述红外窗口材料的正上方对应位置,且与所述介质层之间构成第一空腔;所述第一端部支撑部分的电极层与所述接触沟槽结构相接触,用于将所述红外感应部件产生的电信号通过所述接触沟槽结构传输到所述互连层中;支撑部件,位于所述红外感应结构的外围且与所述红外感应结构不接触;所述支撑部件包括第二中间拱起部分和第二端部支撑部分;所述第二端部支撑部分位于所述接触沟槽结构外侧的所述介质层表面,所述第二中间拱起部分与所述第一中间拱起部分之间构成第二空腔,并且所述红外感应结构与所述支撑部件之间具有连通的空隙;在所述第二中间拱起部分的顶部具有释放孔;所述支撑部件的内表面具有红外反射材料或者整个所述支撑部件为红外反射材料;其中,可见光和红外光从所述半导体衬底下表面射入,通过所述可见光感应区域,部分所述可见光被所述可见光感应部件吸收;经所述半导体衬底过滤掉剩余的可见光后,红外光透过所述半导体衬底继续进入所述红外感应区域,部分所述红外光被所述红外感应部件吸收;未经所述红外感应部件吸收的红外光,经所述红外反射材料反射到所述红外感应部件,进而被所述红外感应部件吸收。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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