[发明专利]鳍式场效应管及其制作方法

摘要

一种鳍式场效应管的制作方法。其中，所述制作方法包括进行下列两个步骤的至少一个步骤第一步骤，在所述半导体衬底上形成所述鳍部前，对所述半导体衬底的所述第一区域进行第一惰性气体离子注入，直至形成第一惰性气体离子注入区，并对所述半导体衬底的所述第二区域进行第二惰性气体离子注入，直至形成第二惰性气体离子注入区；第二步骤，对暴露在所述伪栅极结构第一侧的所述鳍部进行第三惰性气体离子注入，直至形成第三惰性气体离子注入区，并对暴露在所述伪栅极结构第二侧的所述鳍部进行第四惰性气体离子注入，直至形成第四惰性气体离子注入区。所述制作方法能够提高鳍式场效应管抗闩锁效应的能力。

主权项

一种鳍式场效应管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底的第一区域进行第一类型阱掺杂，直至形成第一阱区；对所述半导体衬底的第二区域进行第二类型阱掺杂，直至形成第二阱区；在所述半导体衬底上形成鳍部；在所述鳍部上形成横跨所述鳍部顶部和侧面的伪栅极结构；对暴露在所述伪栅极结构第一侧的所述鳍部进行第一类型重掺杂，直至形成第一重掺杂区；对暴露在所述伪栅极结构第二侧的所述鳍部进行第二类型重掺杂，直至形成第二重掺杂区；所述制作方法还包括进行下列两个步骤的至少一个步骤：第一步骤，在所述半导体衬底上形成所述鳍部前，对所述半导体衬底的所述第一区域进行第一惰性气体离子注入，直至形成第一惰性气体离子注入区，并对所述半导体衬底的所述第二区域进行第二惰性气体离子注入，直至形成第二惰性气体离子注入区；第二步骤，对暴露在所述伪栅极结构第一侧的所述鳍部进行第三惰性气体离子注入，直至形成第三惰性气体离子注入区，并对暴露在所述伪栅极结构第二侧的所述鳍部进行第四惰性气体离子注入，直至形成第四惰性气体离子注入区。