[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201510548390.0 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106486536A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。本发明公开了一种RC-IGBT及其制作方法，该RC-IGBT包括衬底，所述衬底具有漂移区；设置在衬底上表面内的阱区；设置在阱区内的源区；设置在所述衬底下表面内的集电区；设置在所述漂移区内的载流子低寿命薄层；其中，所述衬底上表面包括中间区以及包围所述中间区的边缘区；所述阱区设置在所述衬底对应所述边缘区的上表面内；所述载流子低寿命薄层位于所述阱区下方；所述载流子低寿命薄层与阱区的距离小于与所述集电区的距离。所述RC-IGBT在阱区下方设置有载流子低寿命薄层，可以加快载流子复合速度，降低阱区对漂移区的空穴注入，进而降低FRD反向恢复电流，进而降低反向恢复时间，从而提高RC-IGBT的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 绝缘 双极晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种RC‑IGBT，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有漂移区；设置在所述衬底上表面内的阱区；设置在所述阱区内的源区；设置在所述衬底下表面内的集电区；设置在所述漂移区内的载流子低寿命薄层；其中，所述衬底上表面包括：中间区以及包围所述中间区的边缘区；所述阱区设置在所述衬底对应所述边缘区的上表面内；所述载流子低寿命薄层位于所述阱区下方；所述载流子低寿命薄层与所述阱区的距离小于与所述集电区的距离。
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