[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201510548523.4 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106486537A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RC-IGBT及其制作方法，该RC-IGBT包括衬底，衬底具有漂移区；设置在衬底上表面内的阱区；设置在阱区内的源区；设置在衬底下表面内的集电区，集电区包括第一区以及包围第一区的第二区；设置在漂移区内的第一载流子低寿命薄层以及第二载流子低寿命薄层；其中，第一载流子低寿命薄层位于阱区下方；第二载流子低寿命薄层位于第二区上方；第一载流子低寿命薄层相对于衬底上表面的深度小于第二载流子低寿命薄层相对于衬底上表面的深度。本发明提供技术方案提高了RC-IGBT开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 绝缘 双极晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种RC‑IGBT，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有漂移区；设置在所述衬底上表面内的阱区；设置在所述阱区内的源区；设置在所述衬底下表面内的集电区，所述集电区包括交替分布的第一区以及第二区；设置在所述漂移区内的第一载流子低寿命薄层以及第二载流子低寿命薄层；其中，所述衬底上表面包括：中间区以及包围所述中间区的边缘区；所述阱区设置在所述衬底对应所述边缘区的上表面内；所述第一载流子低寿命薄层位于所述阱区下方；所述第二载流子低寿命薄层与所述第二区一一对应，位于所述第二区上方；所述第一载流子低寿命薄层相对于所述衬底上表面的深度小于所述第二载流子低寿命薄层相对于所述衬底上表面的深度。
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