[发明专利]一种快恢复二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201510548524.9 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106486527A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种FRD及其制作方法，该FRD包括衬底，所述衬底具有漂移区；设置在衬底上表面内的主结；设置在衬底上表内的场限环以及截止环，场限环包围所述主结，截止环包围所述场限环；设置在衬底下表面内的阴极区；设置在漂移区内的载流子低寿命薄层；其中，所述漂移区包括主结区以及终端区；主结设置在所述主结区内，所述场限环以及截止环设置在所述终端区内；所述载流子低寿命薄层位于所述场限环以及截止环的下方，且位于所述阴极区的上方。所述FRD通过所述载流子低寿命薄层可以降低主结边缘处的电流密度，便于FRD的反向恢复，防止了主结发生动态雪崩击穿，提高了FRD的安全工作区范围。所述FRD制作方法简单，制作成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种FRD，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有漂移区；设置在所述衬底上表面内的主结；设置在所述衬底上表内的场限环以及截止环，所述场限环包围所述主结，所述截止环包围所述场限环；设置在所述衬底下表面内的阴极区；设置在所述漂移区内的载流子低寿命薄层；其中，所述漂移区包括主结区以及终端区；所述主结设置在所述主结区内，所述场限环以及截止环设置在所述终端区内；所述载流子低寿命薄层位于所述场限环以及截止环的下方，且位于所述阴极区的上方。
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