[发明专利]一种逆阻型IGBT及其制作方法在审
| 申请号： | 201510548998.3 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106486538A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RB-IGBT及其制作方法，该RB-IGBT包括衬底，衬底具有漂移区；漂移区包括第一区、第二区以及包围第二区的第三区；设置在衬底对应第二区的上表面内的主结，主结包围第一区；设置在第三区内的隔离区；设置在衬底对应第一区的上表面内的IGBT元胞；设置在衬底下表面内的集电区；其中，第二区的载流子寿命小于第一区的载流子寿命。本发明技术方案可以消除主结附近的电流集中现象，进而降低了导通时主结处的电流密度，避免了RB-IGBT关断时主结发射雪崩击穿的问题，进而避免器件被烧毁。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆阻型 igbt 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种RB‑IGBT，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有漂移区；所述漂移区包括：第一区；包围所述第一区的第二区；以及包围所述第二区的第三区；设置在所述衬底对应所述第二区的上表面内的主结，所述主结包围所述第一区；设置在所述第三区内的隔离区；设置在所述衬底对应所述第一区的上表面内的IGBT元胞；设置在所述衬底下表面内的集电区；其中，所述第二区的载流子寿命小于所述第一区的载流子寿命。
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