[发明专利]一种氮化物发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201510549914.8 | 申请日： | 2015-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN105140360B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 张东炎;王笃祥;叶大千;刘明英;舒立明;王良均 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物发光二极管及其制备方法，包含衬底，低温缓冲层、非掺氮化物层、n型氮化物层、多量子阱区、高空穴浓度电子阻挡层、p型氮化物层、p型接触层及电极。高空穴浓度电子阻挡层通过在第一掺杂层中交替通入In源和Mg源的方法来提升第二掺杂层中Mg的并入效率，从而提升电子阻挡层中的空穴浓度，减小材料电阻，降低工作电压，提升器件的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物发光二极管，包括：一衬底；一低温缓冲层，位于衬底之上；一非掺氮化物层，该非掺氮化物层位于低温缓冲层之上；一n型氮化物层，该n型氮化物层位于非掺氮化物层之上，该n型氮化物层上制作有n型电极；一多量子阱区，该多量子阱区位于n型氮化物层之上；一高空穴浓度电子阻挡层，该高空穴浓度电子阻挡层位于多量子阱区之上；一p型氮化物层，该p型氮化物层位于高空穴浓度电子阻挡层之上；一p型接触层，该p型接触层位于p型氮化物层之上，该p型接触层上形成有p型电极；其特征在于：所述高空穴浓度电子阻挡层包含第一掺杂层及第二掺杂层，在第一掺杂层中采用交替通入In源及Mg掺杂源的方式，使得第一掺杂层、第二掺杂层具有较高的掺杂浓度，所述交替通入In源及Mg掺杂源的方式具体为先通入Mg掺杂源，持续时间为t1，接着关闭Mg掺杂源，通入In源。
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