[发明专利]高强度耐高温硅烷交联电缆用半导电屏蔽料及其制备方法

摘要

本发明涉及高强度耐高温硅烷交联电缆用半导电屏蔽料及其制备方法，按质量份计，原料包括EVA 100份，导电炭黑25～35份，POE 8～12份，改性助剂2～3份，抗氧剂2～3份，增塑剂4～7份，对羟基苯磺酸0.5～2份，其中POE为硅烷交联的POE。于密炼机内，将EVA、导电炭黑、POE、抗氧剂、增塑剂混合均匀，于50～60℃进行初次密炼，然后由单螺杆挤出，再加入改性助剂和对羟基苯磺酸，进行二次密炼，熟胶由双螺杆挤出，造粒和风干，即获得半导电屏蔽料。屏蔽料所获得的电缆成品在低温环境下的强韧度得到了提高，同时电缆亦具有更好的耐高温性能。

主权项

一种高强度耐高温硅烷交联电缆用半导电屏蔽料，其特征在于：由如下质量份的原料制备而成：EVA 100份，导电炭黑25～35份，POE 8～12份，改性助剂2～3份，抗氧剂2～3份，增塑剂4～7份，对羟基苯磺酸0.5～2份，其中POE为硅烷交联的POE；所述硅烷交联的POE所使用的硅烷交联剂的型号为KH570或KH‑151，使用浓度为0.5～6wt%，以乙醇的水溶液作为溶剂，乙醇和水以1:6～12的体积比混合，并于溶液中添加0.05～0.75wt%的丙烯酸或者2‑羟基丁二酸；或者所述硅烷交联的POE所使用的硅烷交联剂的型号为KH‑560，使用浓度为0.5～6wt%，以乙醇的水溶液作为溶剂，乙醇和水以1:6～12的体积比混合，并于溶液中添加0.05～0.75wt%的丙烯酸。