[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201510550928.1 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106486360A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供公开了一种RC-IGBT及其制作方法，该制作方法包括提供一衬底，所述衬底具有漂移区；在所述衬底上表面内形成阱区；在所述阱区内形成源区；在所述衬底下表面内形成集电区；形成正面电极结构以及背面电极结构；对所述漂移区进行载流子寿命控制，降低所述漂移区的载流子寿命。所述制作方法通过对漂移区进行载流子寿命控制，降低漂移区的载流子寿命，FRD从正偏转换为反偏时，注入到漂移区11的载流子可以快速的被复合掉，提高了关断速度，进而提高了开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 绝缘 双极晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种RC‑IGBT的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底具有漂移区；在所述衬底上表面内形成阱区；在所述阱区内形成源区；在所述衬底下表面内形成集电区；形成正面电极结构以及背面电极结构；对所述漂移区进行载流子寿命控制，降低所述漂移区的载流子寿命。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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