[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种RC-IGBT及其制作方法，该制作方法包括提供一衬底；衬底具有漂移区，漂移区包括元胞区及终端区；在漂移区对应终端区的上表面内形成主结以及场限环；在漂移区对应元胞区的上表面内形成多个IGBT元胞；在漂移区的下表面内形成集电区；在漂移区内形成第一载流子低寿命区及第二载流子低寿命区；第一载流子低寿命区以及第二载流子低寿命区均位于漂移区与终端区相对的区域；第一载流子低寿命区与主结底部之间的距离小于第一阈值；第二载流子低寿命区与集电区上表面之间的距离小于第二阈值；第一载流子低寿命区位于第二载流子低寿命区的上方。本发明可以同时降低正向导通与反向导通时的主结电流密度，避免主结雪崩击穿。

主权项

一种RC‑IGBT的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底；所述衬底具有漂移区，所述漂移区包括：元胞区以及包围所述元胞区的终端区；在所述漂移区对应所述终端区的上表面内形成主结以及场限环；在漂移区对应所述元胞区的上表面内形成多个IGBT元胞；在所述漂移区的下表面内形成集电区；在所述漂移区内形成第一载流子低寿命区以及第二载流子低寿命区；其中，所述第一载流子低寿命区以及第二载流子低寿命区均位于所述漂移区与所述终端区相对的区域；所述第一载流子低寿命区与所述主结底部之间的距离小于第一阈值；所述第二载流子低寿命区与所述集电区上表面之间的距离小于第二阈值；所述第一载流子低寿命区位于所述第二载流子低寿命区的上方。