[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201510550931.3 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106486361A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT及其制作方法，该制作方法包括提供一衬底；所述衬底具有漂移区，所述漂移区包括元胞区以及包围所述元胞区的终端区；在所述漂移区对应所述终端区的上表面内形成主结以及场限环；在漂移区对应所述元胞区的上表面内形成多个IGBT元胞；在所述漂移区的下表面内形成集电区；在所述漂移区内形成载流子低寿命薄层；其中，所述载流子低寿命薄层与所述终端区相对设置；所述载流子低寿命薄层用于降低集电区注入漂移区的空穴电流。该制作方法形成的IGBT具有载流子低寿命薄层，可以降低漂移区注入主结的电流，进而降低主结的电流密度，避免了主结发生动态雪崩击穿的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种IGBT的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底；所述衬底具有漂移区，所述漂移区包括：元胞区以及包围所述元胞区的终端区；在所述漂移区对应所述终端区的上表面内形成主结以及场限环；在所述漂移区对应所述元胞区的上表面内形成多个IGBT元胞；在所述漂移区的下表面内形成集电区；在所述漂移区内形成载流子低寿命薄层；其中，所述载流子低寿命薄层与所述终端区相对设置；所述载流子低寿命薄层用于降低集电区注入漂移区的空穴电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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