[发明专利]鳍片式半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510551016.6 | 申请日： | 2015-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN106486377B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李浩<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了鳍片式半导体器件及其制造方法。所述鳍片式半导体器件的制造方法包括：提供半导体结构，其中该半导体结构包括鳍片和位于鳍片之间的沟槽，所述沟槽被部分地填充有隔离物；对沟槽中的隔离物执行第一掺杂以使隔离物表面以下的一部分形成刻蚀阻挡层。由于形成的刻蚀阻挡层可以减小HF/SiCoNi对氧化物(例如二氧化硅)等的刻蚀速率，即可以减小在后续步骤中由于通过HF/SiCoNi刻蚀伪栅极绝缘物等而造成的对隔离物的刻蚀损耗，从而可以提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍片式 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍片式半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供半导体结构，其中所述半导体结构包括鳍片和位于鳍片之间的沟槽，所述沟槽被部分地填充有隔离物；/n对所述沟槽中的隔离物执行第一掺杂以使所述隔离物表面以下的一部分形成刻蚀阻挡层；以及/n对所述鳍片执行沟道停止注入处理，以在所述鳍片中形成沟道阻止层；其中，所述沟道阻止层的上表面低于所述刻蚀阻挡层的上表面。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
