[发明专利]GaN基LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510551284.8 | 申请日： | 2015-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN105206714A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 马后永;琚晶;李起鸣;游正璋;张宇;徐慧文 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制备方法，包括：提供生长衬底，在生长衬底上生长成核层；于线性渐变的生长压力条件下或线性渐变与保压相结合的生长压力条件下在成核层上生长未掺杂的GaN层；在未掺杂的GaN层上生长N型GaN层；在N型GaN层上生长InGaN/GaN超晶格量子阱结构；在InGaN/GaN超晶格量子阱结构上生长InGaN/GaN多量子阱发光层结构；在InGaN/GaN多量子阱发光层结构上依次生长AlGaN层、低温P型层及P型电子阻挡层；在P型电子阻挡层上生长P型GaN层。通过调整生长压力条件可以改变生长过程中外延结构的翘曲度，调整翘曲度的幅度较大，便于找到合适的翘曲度使外延结构在生长多量子阱发光层结构时和载盘能很好的匹配，有效地改善单片外延结构的波长均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | gan led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供生长衬底，在所述生长衬底上生长成核层；于线性渐变的生长压力条件下或线性渐变与保压相结合的生长压力条件下在所述成核层上生长未掺杂的GaN层；在所述未掺杂的GaN层上生长N型GaN层；在所述N型GaN层上生长InGaN/GaN超晶格量子阱结构；在所述InGaN/GaN超晶格量子阱结构上生长InGaN/GaN多量子阱发光层结构；在所述InGaN/GaN多量子阱发光层结构上依次生长AlGaN层、低温P型层及P型电子阻挡层；在所述P型电子阻挡层上生长P型GaN层。
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