[发明专利]基于p型层的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于p型层的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。所述HEMT包含主要由第一半、第二半导体层组成的异质结以及与所述异质结连接的源、栅和漏电极，该栅电极与势垒层之间还分布有能与第二半导体层形成异质结的第三半导体层；所述第三、第二半导体层之间还分布有刻蚀终止层，所述刻蚀终止层的组成材料比第三半导体层的组成材料具有更高刻蚀选择比，或者所述第二半导体层中与第三半导体层临近的区域的组成材料比第三半导体层的组成材料具有更高刻蚀选择比。藉由本发明的设计可以大幅降低p型栅技术的实施难度，并精确控制p型层的刻蚀深度，确保器件电学特性和芯片制作工艺的重复性、均匀性、稳定性，适用于大规模生产。

主权项

一种基于p型层的III族氮化物增强型HEMT，包含主要由作为沟道层的第一半导体层和作为势垒层的第二半导体层组成的异质结以及与所述异质结连接的源电极、栅电极和漏电极，所述栅电极与势垒层之间还分布有能与第二半导体层形成异质结的第三半导体层，其特征在于：所述第三半导体层与第二半导体层之间还分布有刻蚀终止层，并且，相对于选定刻蚀物质，所述刻蚀终止层的组成材料较之所述第三半导体层的组成材料具有更高耐刻蚀性能；或者，相对于选定刻蚀物质，所述第二半导体层中与第三半导体层临近的区域的组成材料较之第三半导体层的组成材料具有更高耐刻蚀性能。