[发明专利]互连结构的制造方法有效
| 申请号： | 201510551706.1 | 申请日： | 2015-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN106486415B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C25D5/18;C25D5/12;C25D5/20;H05K3/42 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张海强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种互连结构的制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括沟槽和通孔，所述沟槽和通孔的表面形成有籽晶层；通过第一超声双脉冲电镀工艺溶解所述籽晶层的表面部分，以增大所述沟槽的开口；通过第二超声双脉冲电镀工艺在所述籽晶层表面电镀金属层；通过第三超声双脉冲电镀工艺溶解一部分电镀的金属层；重复所述第二超声双脉冲电镀工艺和所述第三超声双脉冲电镀工艺，在所述沟槽和通孔中填充电镀的金属层以形成互连结构；其中在电镀工艺中引入超声波。本发明可以避免在形成的互连结构中产生空洞。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括沟槽和通孔，所述沟槽和通孔的表面形成有籽晶层；通过第一超声双脉冲电镀工艺溶解所述籽晶层的表面部分，以增大所述沟槽的开口；通过第二超声双脉冲电镀工艺在所述籽晶层表面电镀金属层；通过第三超声双脉冲电镀工艺溶解一部分电镀的金属层；重复所述第二超声双脉冲电镀工艺和所述第三超声双脉冲电镀工艺，在所述沟槽和通孔中填充电镀的金属层以形成互连结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510551706.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体元件的制备方法及半导体元件
- 下一篇：金属互联结构的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
