[发明专利]一种高品质因数电感制造方法在审
申请号: | 201510552084.4 | 申请日: | 2015-09-01 |
公开(公告)号: | CN105140218A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 郑涛;罗乐;徐高卫;韩梅 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64;H01L21/02;H01F41/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种高品质因数电感制造方法,包括以下步骤:提供一硅基板,在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口;沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构;在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形;在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化,形成暴露部分第一金属图层的通孔;在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形;使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一金属图层接触;接着旋涂有机保护层并固化;随后采用湿法腐蚀工艺去除电感底部剩余的硅;采用深反应离子刻蚀去掉所述有机保护层,本发明采用两步湿法腐蚀工艺掏空平面线圈电感以下的硅衬底,从而抑制硅基板损耗,成倍提高电感Q值。 | ||
搜索关键词: | 一种 品质因数 电感 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种高品质因数电感制造方法,其特征在于:该制造方法至少包括以下步骤:A.提供一硅基板,在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口;B.沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构;使得该深坑结构底部剩余一层薄硅基板;C.在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形;D.在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化,形成暴露部分第一金属图层的通孔;E.在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形;使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一金属图层接触;F.接着旋涂有机保护层并固化;G.去除所述深坑结构底部剩余的一层薄硅基板;H.采用深反应离子刻蚀去掉所述有机保护层。
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