[发明专利]一种硅片的制绒方法在审
| 申请号： | 201510552341.4 | 申请日： | 2015-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN105047764A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 金井升 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅片的制绒方法，包括以下步骤：在金刚线切割的多晶硅片表面形成物理损伤层，然后进行酸制绒。与现有技术相比，本发明在多晶硅片表面形成物理损伤层，相当于形成了缺陷点，在酸制绒的过程中反应激活能较低，相当于反应激活点，因此可在硅片表面形成均匀的绒面结构，且该方法简单可控，成本较低，与现有砂浆切割多晶硅片产线完全兼容，适合大规模量产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片的制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：在金刚线切割的多晶硅片表面形成物理损伤层，然后进行酸制绒。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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