[发明专利]非易失性半导体存储装置

摘要

本发明提供一种可实现优良的电荷保持特性的非易失性半导体存储装置。实施方式的非易失性半导体存储装置具有：半导体层、控制栅极电极和有机分子层，该有机分子层设置于半导体层和控制栅极电极之间、并具有含有由分子式(1)表示的分子结构的有机分子。

主权项

1.一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，其具有：半导体层；控制栅极电极；和有机分子层，该有机分子层设置于所述半导体层和所述控制栅极电极之间、并具有含有由分子式(1)表示的分子结构的有机分子，分子式(1)中的M(+)是选自铜离子、铁离子、钌离子、钴离子、铱离子、锰离子、钒离子、钛离子、锆离子、银离子和铂离子中的带有正电荷的金属离子；o是根据金属离子的种类而改变的1以上的整数；X1～X8中的至少一个是使所述有机分子与所述半导体层侧或所述控制栅极电极侧化学键合的化学修饰基；(‑)Ion是选自氯离子、溴离子、三氟甲磺酸根离子、高氯酸根离子、六氟磷酸根离子和四氟硼酸根离子中的带有负电荷的离子。